離子遷移試驗(yàn)設(shè)備

離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備，原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓（ BIAS VOLTAGE ）, , 經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試（1 ～1000  小時(shí)）并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生（ ION MIGRATION ）, , 并記錄電阻值變化狀況，故又叫做 CAF  試驗(yàn)，絕緣阻力電阻試驗(yàn)，或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn)，我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。（ ION MIGRATION TESTING ）

適用規(guī)格 ： JPCA- - ET01- - 2001

通過最大3000v直流偏壓，它可以測(cè)試TDDB測(cè)試、高壓離子遷移和絕緣測(cè)試，例如高壓設(shè)備、高壓電路板和高壓部件。

此外，HVUa系列還可以測(cè)試太陽(yáng)能系統(tǒng)框架和電池之間的漏電。HVUa系列可在每個(gè)通道上設(shè)置50-3000v的任何電壓

離子遷移試驗(yàn)設(shè)備

支持測(cè)試檢測(cè)瞬時(shí)局部放電的最大30oov

通過每個(gè)通道反饋控制精確的輸入偏置

在1個(gè)系統(tǒng)中擴(kuò)展最大20Och（5Och x 4case）

通過有源保護(hù)電纜進(jìn)行低噪聲測(cè)量

通過不使用機(jī)械繼電器確保高可靠性